La kemia metodo unue oksidigas grafiton en grafitan oksidon per oksidiĝa reakcio, kaj pliigas la tavolinterspacon enkondukante oksigenenhavantajn funkciajn grupojn sur la karbonatomoj inter la grafitaj tavoloj, tiel malfortigante la interagadon inter tavoloj.

Ofta oksidiĝo

La metodoj inkluzivas la metodon de Brodie, la metodon de Staudenmaier kaj la metodon de Hummers [40]. La principo estas unue trakti la grafiton per forta acido,

Poste aldonu fortan oksidanton por oksidado.

La oksidigita grafito estas senigita per ultrasono por formi grafenan oksidon, kaj poste reduktita per aldono de reduktanta agento por akiri grafenon.

Oftaj reduktaj agentoj inkluzivas hidrazinan hidraton, NaBH4 kaj fortan alkalan ultrasonan redukton. NaBH4 estas multekosta kaj facile retenebla elemento B,

Kvankam la forta alkala ultrasona redukto estas simpla kaj ekologie amika, malfacilas redukti *, kaj granda nombro da oksigenitaj funkciaj grupoj restos post redukto,

Tial, pli malmultekosta hidrazina hidrato kutime estas uzata por redukti grafitan oksidon. La avantaĝo de hidrazina hidrato-redukto estas, ke hidrazina hidrato havas fortan reduktokapablon kaj facile vaporiĝas, do ne restos malpuraĵoj en la produkto. En la reduktoprocezo, taŭga kvanto da amoniaka akvo kutime estas aldonita por plibonigi la reduktokapablon de hidrazina hidrato.

Aliflanke, ĝi povas igi la surfacojn de grafeno forpuŝi unu la alian pro negativaj ŝargoj, tiel reduktante la aglomeradon de grafeno.

Grandskala preparado de grafeno povas esti realigita per kemia oksidado kaj reduktado, kaj la meza produkto de grafeno-oksido havas bonan disperson en akvo.

Estas facile modifi kaj funkciigi grafenon, do ĉi tiu metodo ofte estas uzata en la esplorado de kompozitaj materialoj kaj energia konservado. Sed pro oksidiĝo

La foresto de iuj karbonatomoj en la ultrasona procezo kaj la restaĵoj de oksigen-entenantaj funkciaj grupoj en la reduktoprocezo ofte igas la produktitan grafenon enhavi pli da difektoj, kio reduktas ĝian konduktivecon, tiel limigante ĝian aplikon en la kampo de grafeno kun altaj kvalitpostuloj.